砷化鎵霍爾器件

霍爾器件系磁電轉換器件，是半導體磁傳感器中*成熟、產量*大的產品，而砷化鎵霍爾器件更是其中的佼佼者。其原理是針對砷化鎵《GaAs》材料的特點，應用高能量離子注入方法和新型工藝技術制造的霍爾器件。不但提高了器件的抗靜電擊穿能力、線性度和成品率，而且大幅降低了生產成本，使砷化鎵霍爾器件在性價比及功能方面均優(yōu)于傳統(tǒng)的銻化銦和硅霍爾器件，是霍爾器件新一代替代產品。

從性能上看，GaAs霍爾器件有著InSb霍爾器件無法比擬的優(yōu)勢，具有溫度特性優(yōu)良、輸出電壓性好、輸入阻抗高、底失衡率等到優(yōu)點，特別更在溫度系數和工作范圍兩項指標上，在優(yōu)異應用時具有優(yōu)良優(yōu)勢，達到******，有些關鍵指標<如器靈敏度>處于****地位。
高性能GaAs霍爾器件規(guī)?；a的關鍵設備是高能量的大型離子注入機，通過對GaAs霍爾器件20多年的研究，在GaAs材料制備，器件設計和生產工藝，提高穩(wěn)定性和可靠性等方面都擁有成熟的技術。特別是在國內**采用高能量離子注入方法，成功生產出高性能GaAs霍爾器件，技術指標優(yōu)良。

長期穩(wěn)定性是衡量元器件的重要參數之一，其好壞決定是否有實用價值。本產品通過了180℃～190℃度高溫、13500小時的加速老化實驗，器件完好無損，用化學動力學中阿爾赫尼斯議程可計算出，其失效率高達10-7～10-8以上。就國內外現有文獻報道來看：公司生產的GaAs霍爾器件是唯壹進行過長時間可行性實驗的產品。

通過長時間可行性實驗得出的結論是：與半導體P-N結器件不同，GaAs霍爾器件是體效應器件，長時間高溫老化或一定劑量的核輻射對器件靈敏度等性能的影響很小，具有很好的長期穩(wěn)定性。